芯片製造商敦促白宮避免對內存市場進行廣泛干預

芯片行業協會SEMI近日致信特朗普政府，敦促避免對內存市場進行廣泛的干預。該協會代表全球主要半導體設備和材料公司以及芯片製造商，在信中向財政部長斯科特·貝森特、國防部長皮特·赫格塞斯、商務部長霍華德·盧特尼克和國務卿馬可·魯比奧表達了擔憂。

過去一年，由於人工智能數據中心建設者的需求激增，內存價格大幅上漲。更高的價格不僅影響服務器市場，也波及到其他領域。2026年12月，標普全球預測，到2027年底，車載DRAM價格可能上漲100%。最近，蘋果公司也提高了多款設備的價格。

SEMI在信中呼籲白宮避免採取“扭曲定價或產能決策”的內存干預措施。該組織認為，此類舉措會損害市場。SEMI表示，官員應採取其他更具體的措施來解決內存供應緊張問題。

該聯盟呼籲白宮推動税收減免或抵免，以降低消費電子產品的價格。此外，SEMI支持企業通過長期採購合同來獲取內存芯片。三星電子、SK海力士和美光科技這三家全球最大的DRAM供應商都是SEMI的成員。

數據中心建設者的需求主要集中在一種稱為高帶寬內存（HBM）的特定DRAM類型。HBM基於與標準內存相同的電路架構，但有所不同。普通DRAM模塊是單個芯片，而HBM設備由多達12個DRAM芯片堆疊而成，這些芯片放置在一個稱為邏輯芯片的基礎上，以優化數據流。HBM模塊可以比標準DRAM更快地向連接的處理器傳輸數據，使其非常適合AI應用。

SEMI在信中表示，芯片行業預計未來每年內存產能將增長19%。儘管如此，預計在可預見的未來，需求仍將超過供應。美光計劃投資2000億美元在美國建造六座新晶圓廠，並升級弗吉尼亞州的一座現有工廠。該工廠最近開始採用美光最新的製造工藝生產DRAM芯片，該工藝使用稱為多重圖案化的技術將電路蝕刻到硅晶圓上。這項技術依賴於一系列複雜的激光脈衝來形成晶體管形狀的圖案。

美光不僅擴大內存芯片的產能，還擴大HBM封裝的產能。HBM封裝是將多個DRAM芯片連接成一個單一HBM模塊的技術。去年，美光在新加坡破土動工了一座價值70億美元的封裝設施，預計2027年底開始量產。

SK海力士和三星則計劃在未來五年內將內存產能翻倍，作為韓國政府本週啓動的5840億美元芯片製造計劃的一部分。該項目將建設四座新晶圓廠。

總之，SEMI的呼籲反映了芯片行業對政府幹預市場的普遍擔憂，同時也凸顯了AI驅動下內存市場供需失衡的嚴峻挑戰。