內存製造商SK海力士因人工智能需求提交290億美元美國IPO申請
全球最大HBM內存供應商SK海力士向納斯達克提交IPO申請，計劃出售至多1779萬股，籌資294億美元，有望成為僅次於SpaceX的第二大IPO。公司受益於AI熱潮，第一季度營收同比增長198%至380億美元，淨利潤率達77%。HBM內存通過堆疊和散熱技術提升AI芯片性能。募資將用於在韓國龍仁集羣建設新工廠。
SK海力士公司（SK hynix Inc.）作為全球最大的高帶寬內存（HBM）供應商，於今日正式向美國納斯達克證券交易所提交上市申請。這家韓國半導體巨頭計劃發售最多1779萬股美國存托股票，目標籌資額高達294億美元。若成功上市，這將是繼SpaceX公司近期857億美元募資之後，美國曆史上規模第二大的首次公開募股（IPO）。
SK海力士在HBM領域佔據主導地位，全球超過一半的HBM內存由其生產。HBM是一種高速、高價的隨機存取存儲器（RAM），專門用於人工智能（AI）芯片的數據存儲。得益於AI技術的爆發式增長，該公司第一季度營收同比飆升198%，達到380億美元，同時淨利潤率高達77%，盈利能力極為強勁。
HBM模塊由最多12個垂直堆疊的內存芯片組成，通過微小的硅通孔（TSV）實現電力與數據傳輸。英偉達（Nvidia Corp.）旗艦級Rubin顯卡即配備8個環繞邏輯電路的HBM模塊，該技術也被廣泛應用於其他AI芯片。與標準DRAM相比，HBM的主要優勢在於提供更高帶寬，使數據在內存與處理器之間更快傳輸，尤其適合需要頻繁數據交換的AI模型。
SK海力士在HBM市場的領先地位部分歸功於其散熱管理技術。HBM模塊產生的熱量遠高於標準DRAM芯片，可能導致顯卡故障。該公司的HBM模塊通過特殊設計高效散熱，避免錯誤發生。模塊內堆疊芯片通過稱為“凸塊”的金屬結構連接，採用大規模迴流模塑底部填充（MR-MUF）工藝製造，該工藝可生成用於導熱的虛擬凸塊，並用特殊聚合物塗層覆蓋模塊，進一步提升散熱效果並降低故障風險。
上月，SK海力士發佈了最新散熱技術iHBM，在連接HBM模塊與主處理器的D2D PHY組件中嵌入冷卻元件，聲稱可在高數據流量條件下提升性能。此外，SK海力士也是閃存和DRAM市場的第二大廠商，廣泛服務於筆記本電腦等消費電子領域。
本次IPO所籌資金將主要用於擴充產能。公司計劃在首爾附近的龍仁集羣（Yongin Cluster）興建四座晶圓廠，該園區預計吸引超過2000億美元投資，並將容納數十家其他半導體企業。