記憶體製造商SK海力士因人工智慧需求提交290億美元美國IPO申請
全球最大HBM記憶體供應商SK海力士向納斯達克提交IPO申請，計劃出售至多1779萬股，籌資294億美元，有望成為僅次於SpaceX的第二大IPO。公司受益於AI熱潮，第一季度營收同比增長198%至380億美元，淨利潤率達77%。HBM記憶體透過堆疊和散熱技術提升AI晶片效能。募資將用於在韓國龍仁叢集建設新工廠。
SK海力士公司（SK hynix Inc.）作為全球最大的高頻寬記憶體（HBM）供應商，於今日正式向美國納斯達克證券交易所提交上市申請。這家韓國半導體巨頭計劃發售最多1779萬股美國存托股票，目標籌資額高達294億美元。若成功上市，這將是繼SpaceX公司近期857億美元募資之後，美國曆史上規模第二大的首次公開募股（IPO）。
SK海力士在HBM領域佔據主導地位，全球超過一半的HBM記憶體由其生產。HBM是一種高速、高價的隨機存取儲存器（RAM），專門用於人工智慧（AI）晶片的資料儲存。得益於AI技術的爆發式增長，該公司第一季度營收同比飆升198%，達到380億美元，同時淨利潤率高達77%，盈利能力極為強勁。
HBM模組由最多12個垂直堆疊的記憶體晶片組成，透過微小的矽通孔（TSV）實現電力與資料傳輸。輝達（Nvidia Corp.）旗艦級Rubin顯示卡即配備8個環繞邏輯電路的HBM模組，該技術也被廣泛應用於其他AI晶片。與標準DRAM相比，HBM的主要優勢在於提供更高頻寬，使資料在記憶體與處理器之間更快傳輸，尤其適合需要頻繁資料交換的AI模型。
SK海力士在HBM市場的領先地位部分歸功於其散熱管理技術。HBM模組產生的熱量遠高於標準DRAM晶片，可能導致顯示卡故障。該公司的HBM模組透過特殊設計高效散熱，避免錯誤發生。模組內堆疊晶片透過稱為“凸塊”的金屬結構連線，採用大規模迴流模塑底部填充（MR-MUF）工藝製造，該工藝可生成用於導熱的虛擬凸塊，並用特殊聚合物塗層覆蓋模組，進一步提升散熱效果並降低故障風險。
上月，SK海力士釋出了最新散熱技術iHBM，在連線HBM模組與主處理器的D2D PHY元件中嵌入冷卻元件，聲稱可在高資料流量條件下提升效能。此外，SK海力士也是快閃記憶體和DRAM市場的第二大廠商，廣泛服務於筆記型電腦等消費電子領域。
本次IPO所籌資金將主要用於擴充產能。公司計劃在首爾附近的龍仁叢集（Yongin Cluster）興建四座晶圓廠，該園區預計吸引超過2000億美元投資，並將容納數十家其他半導體企業。