内存制造商SK海力士因人工智能需求提交290亿美元美国IPO申请
全球最大HBM内存供应商SK海力士向纳斯达克提交IPO申请，计划出售至多1779万股，筹资294亿美元，有望成为仅次于SpaceX的第二大IPO。公司受益于AI热潮，第一季度营收同比增长198%至380亿美元，净利润率达77%。HBM内存通过堆叠和散热技术提升AI芯片性能。募资将用于在韩国龙仁集群建设新工厂。
SK海力士公司（SK hynix Inc.）作为全球最大的高带宽内存（HBM）供应商，于今日正式向美国纳斯达克证券交易所提交上市申请。这家韩国半导体巨头计划发售最多1779万股美国存托股票，目标筹资额高达294亿美元。若成功上市，这将是继SpaceX公司近期857亿美元募资之后，美国历史上规模第二大的首次公开募股（IPO）。
SK海力士在HBM领域占据主导地位，全球超过一半的HBM内存由其生产。HBM是一种高速、高价的随机存取存储器（RAM），专门用于人工智能（AI）芯片的数据存储。得益于AI技术的爆发式增长，该公司第一季度营收同比飙升198%，达到380亿美元，同时净利润率高达77%，盈利能力极为强劲。
HBM模块由最多12个垂直堆叠的内存芯片组成，通过微小的硅通孔（TSV）实现电力与数据传输。英伟达（Nvidia Corp.）旗舰级Rubin显卡即配备8个环绕逻辑电路的HBM模块，该技术也被广泛应用于其他AI芯片。与标准DRAM相比，HBM的主要优势在于提供更高带宽，使数据在内存与处理器之间更快传输，尤其适合需要频繁数据交换的AI模型。
SK海力士在HBM市场的领先地位部分归功于其散热管理技术。HBM模块产生的热量远高于标准DRAM芯片，可能导致显卡故障。该公司的HBM模块通过特殊设计高效散热，避免错误发生。模块内堆叠芯片通过称为“凸块”的金属结构连接，采用大规模回流模塑底部填充（MR-MUF）工艺制造，该工艺可生成用于导热的虚拟凸块，并用特殊聚合物涂层覆盖模块，进一步提升散热效果并降低故障风险。
上月，SK海力士发布了最新散热技术iHBM，在连接HBM模块与主处理器的D2D PHY组件中嵌入冷却元件，声称可在高数据流量条件下提升性能。此外，SK海力士也是闪存和DRAM市场的第二大厂商，广泛服务于笔记本电脑等消费电子领域。
本次IPO所筹资金将主要用于扩充产能。公司计划在首尔附近的龙仁集群（Yongin Cluster）兴建四座晶圆厂，该园区预计吸引超过2000亿美元投资，并将容纳数十家其他半导体企业。