芯片制造商敦促白宫避免对内存市场进行广泛干预

芯片行业协会SEMI近日致信特朗普政府，敦促避免对内存市场进行广泛的干预。该协会代表全球主要半导体设备和材料公司以及芯片制造商，在信中向财政部长斯科特·贝森特、国防部长皮特·赫格塞斯、商务部长霍华德·卢特尼克和国务卿马可·鲁比奥表达了担忧。

过去一年，由于人工智能数据中心建设者的需求激增，内存价格大幅上涨。更高的价格不仅影响服务器市场，也波及到其他领域。2026年12月，标普全球预测，到2027年底，车载DRAM价格可能上涨100%。最近，苹果公司也提高了多款设备的价格。

SEMI在信中呼吁白宫避免采取“扭曲定价或产能决策”的内存干预措施。该组织认为，此类举措会损害市场。SEMI表示，官员应采取其他更具体的措施来解决内存供应紧张问题。

该联盟呼吁白宫推动税收减免或抵免，以降低消费电子产品的价格。此外，SEMI支持企业通过长期采购合同来获取内存芯片。三星电子、SK海力士和美光科技这三家全球最大的DRAM供应商都是SEMI的成员。

数据中心建设者的需求主要集中在一种称为高带宽内存（HBM）的特定DRAM类型。HBM基于与标准内存相同的电路架构，但有所不同。普通DRAM模块是单个芯片，而HBM设备由多达12个DRAM芯片堆叠而成，这些芯片放置在一个称为逻辑芯片的基础上，以优化数据流。HBM模块可以比标准DRAM更快地向连接的处理器传输数据，使其非常适合AI应用。

SEMI在信中表示，芯片行业预计未来每年内存产能将增长19%。尽管如此，预计在可预见的未来，需求仍将超过供应。美光计划投资2000亿美元在美国建造六座新晶圆厂，并升级弗吉尼亚州的一座现有工厂。该工厂最近开始采用美光最新的制造工艺生产DRAM芯片，该工艺使用称为多重图案化的技术将电路蚀刻到硅晶圆上。这项技术依赖于一系列复杂的激光脉冲来形成晶体管形状的图案。

美光不仅扩大内存芯片的产能，还扩大HBM封装的产能。HBM封装是将多个DRAM芯片连接成一个单一HBM模块的技术。去年，美光在新加坡破土动工了一座价值70亿美元的封装设施，预计2027年底开始量产。

SK海力士和三星则计划在未来五年内将内存产能翻倍，作为韩国政府本周启动的5840亿美元芯片制造计划的一部分。该项目将建设四座新晶圆厂。

总之，SEMI的呼吁反映了芯片行业对政府干预市场的普遍担忧，同时也凸显了AI驱动下内存市场供需失衡的严峻挑战。